Первые тесты новой оперативной памяти DDR5 показали ощутимый прирост скорости на Intel

IT-специалисты китайской компании Longsys провели тестирование инженерных образцов новых модулей оперативной памяти DDR5, которое показало, как они ускорились в сравнении с предшественниками DDR4. Об этом сообщает EVO-RUS.COM.

Крупнейший китайский OEM- и ODM-производитель флеш-накопителей Longsys провел собственные тесты, используя для этого платформу Intel Alder Lake. По результатам тестирований выяснилось, что в отдельных случаях прирост составлял практически 1,5 раза.

В тестах участвовали двухранговые модули с частотой 4800 МГц с таймингами CL40 (40-40-40-77). В китайском бенчмарке Master Lu платформа Intel Alder Lake с новой памятью DDR5 смогла набрать 190 тысяч баллов. Для сравнения – DDR4 набирала только 92 тысячи баллов.

Также специалисты провели тесты с использованием AIDA64. В трех испытаниях инженерных образцов DDR5 повышение производительности составило 28, 27 и 10 процентов в сравнении с памятью DDR4.

При цитировании информации активная гиперссылка на evo-rus.com обязательна.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»